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                    功率開關器件DPT測試步驟詳解

                    更新時間:2024-08-12      點擊次數:570

                           雙脈沖測試(Double Pulse Test)是分析功率開關器件動態特性的常用測試,通過雙脈沖測試可以便捷的評估功率器件的性能,獲得穩態和動態過程中的主要參數,更好的評估器件性能,優化驅動設計等等。

                           雖然功率半導體器件的手冊上會有參數標注,但這些參數都是在標準測試條件下得到的。使用IGBT或者MOSFET做逆變器的工程師如果不加以測試,而直接在標定的工況下跑看能否達到設計的功率,無法全面了解器件性能,進而影響產品長期可靠性。又或者設計裕量過大帶來成本增加,使得產品的市場競爭力下降。

                           如果能在設計研發階段,精準地了解器件的開關性能,將對整個產品的優化帶來極大的好處。比如能在不同的電壓、電流和溫度下獲得開關損耗,給系統仿真提供可靠的數據;又比如可以通過觀察波形振蕩情況來選擇合適的門極電阻。作為功率半導體測試領域的供應商,我們為雙脈沖測試提供多種先進電源產品。


                    一、雙脈沖測試平臺

                          功率開關器件雙脈沖測試設備:

                    1、高壓電源

                    2、電容組

                    3、負載電感

                    4、示波器

                    5、高壓差分電壓探頭(1000:1)

                    6、電流探頭

                    7、可編程信號發生器或高精密源測量單元/源表/SMU

                    雙脈沖測試流程.jpg

                    二、雙脈沖測試流程:

                    1、步驟一:

                    (1)在t0時刻,被測IGBT的門極接收到第 一個脈沖,被測IGBT導通,母線電壓U加在負載電感L上,電感上的電流線性上升,I=U*t/L;

                    (2)IGBT關斷前的t1時刻,電感電流的數值由U和L決定;在U和L都確定時,電流的數值由IGBT開啟的脈寬T1決定,開啟時間越長,電流越大;

                    (3)執行點:通過改變脈沖寬度的大小,自主設定電流的數值。

                    步驟二.jpg

                    2、步驟二:

                    (1)t1到t2之間,IGBT關斷,此時負載的電流L的電流由上管二極管續流,該電流緩慢衰減;

                    (2)t1到t2之間,IGBT關斷,此時負載的電流L的電流由上管二極管續流,該電流緩慢衰減;

                    (3)關注點:在該時刻,重點是觀察IGBT的關斷過程,電壓尖峰是重要的監控對象。

                    步驟三.jpg

                    3、步驟三

                    (1)在t2時刻,被測IGBT 再次導通,續流二極管進入反向恢復狀態,反向恢復電流會穿過IGBT,此時電流探頭所測得的Ic為FRD反向電流與電感電流疊加,產生電流尖峰; 

                    (2)重點觀察:IGBT的開通過程,電流峰值是重要的監控對象,同時應注意觀察柵極波形是否存在震蕩現象。

                    步驟四.jpg

                    4、步驟四

                    (1)在t3時刻,被測IGBT再次關斷,與之前關斷相同,因為母線雜散電感Ls的存在,會產生一定的電壓尖峰;

                    (2)重點觀察:關斷之后電壓和電流是否存在不合適的震蕩。

                    得到什么.jpg

                    三、通過雙脈沖測試我們可以得到什么?

                    1、獲取ICRM(MAX峰值電流)IRBSOA(MAX關斷電流)

                    MAX關斷電流.jpg


                    2、測量主電路雜散電感:Us=Ls*di/dt

                    雜散電感.jpg


                    3、評估續流二極管的風險

                    風險.jpg

                    四、雙脈沖測試中的電流源

                          隨著功率半導體技術的發展,IGBT、MOSFET、BJT等半導體器件向小型化、集成化、大功率方向發展。為了避免大功率測試過程中溫升對測試造成影響、甚至燒壞器件。在法規和行業測試中,通常會給被測器件施加滿足功率條件下的瞬時電流脈沖,進行半導體器件相關參數測試。              


                    五、電容儲能式脈沖電流源

                           脈沖恒流源以儲能電容放電的方式發生電流脈沖。從功能實現角度分析,脈沖電源的工作電路由以下兩個基本回路組成;

                    脈沖電流源.jpg

                    電容充電電路:直流源通過限流電阻R給超等電容充電;

                    脈沖放電電流:超等電容C通過開關管對負載RL放電;

                    脈沖電流幅值:電容C充電壓控制和電阻RL決定;

                    脈沖寬度:開關時間t決定;


                    六、電容充電:

                           根據超等電容的特性,充電電源應具備寬范圍輸出能力,可實現如下功能:

                    1、電壓高速建立并維持穩定;

                    2、電流高速上升、無明顯過沖.


                    七、充電電源典型案例:

                          某客戶IGBT測試系統進行16F電容充電測試:

                    16F電容.jpg

                    *實測曲線*


                        客戶期望在超等電容充電過程中電壓建立速度快,過沖小。使用IT6000C系列高性能直流電源產品,利用CC/CV優先權功能有優質的表現,幫助用戶提高測試效率。

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