IGBT器件高溫反偏試驗系統

       半導體器件的可靠性測試或試驗是半導體生命環節的重要部分，是必須完成的一個流程要求?？煽慷鹊亩x是產品在規定的時間內，在特定的使用（環境）條件下，執行特定的性能或功能時完成任務的概率（成功概率）或發生故障的概率。也就是說，可靠度是指預期產品銷售后，在使用的壽命期間會有多少產品失效，同時也可藉由可靠度的評估去推估在保固時間內會有多少比例的退貨產品。而對于功率器件來說，可靠性是指器件在一定時間內、一定條件下運行的能力，是功率器件重要的品質特性之一。要滿足現代技術和生產的需要，獲得更高的經濟效益，必須使用高可靠性的產品，這樣設計的產品才具有更高的市場競爭力。

       半導體器件高溫反偏試驗系統針對半導體器件的可靠性要求，滿足多種標準的可靠性試驗系統。本系統可以完成高溫工作壽命HTOL、溫濕度H3TRB、高溫反偏HTRB和高溫柵偏HTGB的可靠性試驗工藝過程的試驗。半導體器件高溫反偏試驗系統，器件的封裝類型：軸向 徑向二極管、TO-247-3 4、TO-3P、TO-220 等，可以根據需要選擇。

一、 滿足的試驗標準

lESD51-1

AEC-Q101

GJB128A

MIL-STD-750

JESD22A-108

JESD22A-101

二、 滿足的試驗器件類型

二極管

 MOSFET

 IGBT

CMOS

IPM 等功率器件

 各類IGBT 模塊

三、試驗系統的電氣參數及功能

漏電流范圍：10nA~1A(HTRB、H3TRB)

漏電流范圍：1nA~2mA(HTGB)

試驗電壓：10V~6000V(HTRB、HTOL)

試驗電壓：±30V-200V(HTGB、H3TRB)

四、產品主要特點：
試驗溫度：采用整個溫區為有效試驗區的設計方式，確保溫區在滿載 的條件下每個插槽溫度的均勻性和穩定性。
試驗電源：采用輸出接近式小紋波程控直流試驗電源，電源輸出速率 可調，且漸近試驗電壓值，有效避免由于電源輸出試驗電壓過沖而損 傷器件。
試驗電壓：無損激勵源的偏壓方式，試驗電路無限流電阻，被測器件 線路無分壓，確保器件兩端電壓恒定不突變，從而確保試驗數據的真實。
試驗檢測：高邊輸入端控制通斷，可物理開關方式剔除異常器件的偏壓源輸入，不影響其它器件，避免限流電阻發熱碳化或燒毀電路板、避免頻繁更換限流電阻，從而降低使用成                   本；高速數據采集系統，對數據實現準實時監控，確保異常器件能即時被發現和相應處理。
試驗配件：老化板，夾具上無電阻等發熱器件，不會燒毀電阻及 PCB  等，降低使用耗材。

五、 試驗系統的容量及擴展

試驗通道：8/16/24、可擴展

MAX 工位數：640/ 1280 /1960

老化板尺寸：280mm×500mm （器件不同會變化）

器件的封裝類型：軸向/徑向二極管、TO-247-3/4、TO-3P、TO-220 等，可以根據需要選擇

老化板可以支持新的封裝類型，如D-PAK（252）、D2PAK（263）E-mode、WPAK、POWER-PAK 等。

模塊：IGBT 半橋、全橋等

六、試驗系統的其它參數

供電電源：220V+10%, 50Hz
主體尺寸：W1500×H1740×D1600（mm）
主體重量：800KG
額定功率：20KW
工作溫度：0—40 度